產(chǎn)品中心
PRODUCTS CNTER當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心低溫物理設(shè)備探針臺CPX-VF低溫超導(dǎo)磁體探針臺
Lake Shore的CPX-VF探針臺增加了±2.5T的超導(dǎo)磁體,可以進(jìn)行C-V、I-V、微波和電光探測,以及平面外垂直場超導(dǎo)磁測量。研究人員可以使用CPX-VF進(jìn)行霍爾效應(yīng)測量和測試磁輸運(yùn)參數(shù)。CPX-VF 是Lake Shore探針臺中結(jié)合微波和磁場測量的優(yōu)秀探針臺之一。
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CPX-VF在直徑達(dá)51mm(2英寸)的晶圓上實(shí)現(xiàn)真正的90°晶圓探測。樣品可在冷卻過程中保持較高溫度,降低了樣品冷凝的可能性,這是測量有機(jī)材料的關(guān)鍵要求。
CPX-VF使用液氦或液氮進(jìn)行連續(xù)流制冷(使用超導(dǎo)磁體時必須使用液氦),其操作溫度范圍為4.2 K到400 K,使用低溫選件可將基礎(chǔ)低溫擴(kuò)展到2 K。
主要特征:
√ 溫度范圍4.3 K~400 K
√ 可選低溫1.9 K
√ 垂直磁場±2.5 T
√ 最大2英寸(51 mm)樣品
√ 樣品可面內(nèi)±5°旋轉(zhuǎn)
√ 樣品振動<30 nm可選
√ 90°探針樣品測量
√ 霍爾效應(yīng)測試選件
√ 超高真空選件
√ 可定制真空腔聯(lián)用轉(zhuǎn)移樣品,避免樣品暴露在大氣環(huán)境
設(shè)備參數(shù):
磁場 | ||
磁體類型 | 超導(dǎo)螺線管 | |
磁場方向 | 垂直方向(垂直于樣品面) | |
磁場控制 | 電流控制 | |
磁場大小 | 最大±25 KOe(±2.5 T) | |
磁場均勻性 | 0.5% 10 mm直徑;1% 25 mm直徑 | |
探針針尖移動 | <5μm 整個磁場范圍內(nèi) | |
溫度范圍 | ||
最多配置6個探針臂 | 基礎(chǔ)溫度4.3 K,溫度控制范圍4.4 K ~ 400 K | |
安裝PS-LT低溫選件 | 基礎(chǔ)溫度1.9 K,溫度控制范圍2 K ~ 400 K | |
溫度穩(wěn)定性 | 液氦 | |
基礎(chǔ)溫度 (無加熱控制) | ±15 mK | |
<10 K | ±50 mK | |
10 K ~ 100 K | ±20 mK | |
101 K ~ 250 K | ±15 mK | |
251 K ~ 350 K | ±15 mK | |
351 K ~ 400 K | ±50 mK | |
真空 | 以TPS-FRG分子泵為標(biāo)準(zhǔn) | PS-HV-CPX選件 |
抽真空時間 | 30 min (<1 × 10-3 Torr) | 10 min (<1 × 10-3 Torr) |
室溫 | <5 × 10-4 Torr | <5 × 10-6 Torr |
基礎(chǔ)溫度 | <1 × 10-5 Torr | <5 × 10-7 Torr |
最高溫度 | <5 × 10-5 Torr | <5 × 10-7 Torr |
循環(huán)時間 | ||
總循環(huán) | 4 h | |
抽真空 | 0.5 h | |
探針臺冷卻 | 2 h | |
探針臺升溫 | 1.5 h | |
樣品 | ||
最大尺寸 | 51 mm(2英寸) | |
樣品背光接口 | 不可選 | |
樣品旋轉(zhuǎn) | ±5°樣品面內(nèi)旋轉(zhuǎn) | |
樣品振動 | <300 nm(標(biāo)準(zhǔn)),<30 nm(配置減震選件PS-PVIS) | |
探針配置 | ||
最大探針數(shù) | 6 | |
探針臂溫度計 | 用于監(jiān)視探針臂的溫度 | |
冷卻探針支架 | <20 K(樣品在基礎(chǔ)溫度下) | |
探針支架 | 連接磁體防輻射屏熱沉 | |
探針臂支架 | 連接防輻射屏熱沉 | |
DC/RF探針 | 電絕緣>100GΩ用于低漏電流測量 | |
微波探針 | 頻率范圍從DC到67GHz | |
光纖探針 | 可用于電光測量 | |
落針范圍 | 所有探針均可在直徑為 25.4 毫米(1 英寸)的圓內(nèi)落針 |
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