臺(tái)式高性能多功能PVD薄膜制備系列—nanoPVD

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Moorfield近推出了臺(tái)式高性能多功能PVD薄膜制備系列—nanoPVD，高度集成化的高真空高性能臺(tái)式PVD系統(tǒng)。越、高效的性能適用于眾多薄膜的研究工作。

產(chǎn)品型號(hào)：Nano PVD系列

更新時(shí)間：2024-04-18

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問(wèn)量：2906

產(chǎn)品咨詢 13021034795

產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

材料制備/樣品合成

單晶爐薄膜、顆粒、膠體等制備爐子（燒結(jié)爐、電弧爐等）納米直寫(xiě)、光刻設(shè)備

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臺(tái)式高性能多功能PVD薄膜制備系列—nanoPVD

基于多年大型薄膜制備系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與研發(fā)所積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，Moorfield Nanotechnology深入了解了劍橋大學(xué)、諾森比亞大學(xué)、帝國(guó)理工學(xué)院、巴斯大學(xué)、?？巳髮W(xué)、倫敦瑪麗大學(xué)等多所著名大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)的具體需求，經(jīng)過(guò)不懈努力推出了臺(tái)式高性能多功能PVD薄膜制備系列—nanoPVD產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品是為高水平學(xué)術(shù)研究研發(fā)的小型物理氣相沉積設(shè)備。推出之后短短幾年時(shí)間已經(jīng)在歐洲銷(xiāo)售了數(shù)十臺(tái)，該系列產(chǎn)品包含了磁控濺射、金屬/機(jī)物熱蒸發(fā)系統(tǒng)。這些設(shè)備雖然體積小巧，但是性能越，能夠快速實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量納米薄膜、異質(zhì)結(jié)的制備，通常在大型設(shè)備中才有的共濺射和反應(yīng)濺射功能也可以在該系列產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)。準(zhǔn)確的有機(jī)物沉積系統(tǒng)更是該系列的大色。便捷的操作、智能的控制、高效的制備效率讓您的學(xué)術(shù)研究進(jìn)入快車(chē)道。

設(shè)備型號(hào)

臺(tái)式高質(zhì)量多功能薄膜磁控濺射系統(tǒng) - nanoPVD S10A

nanoPVD S10A是Moorfield Nanotechnology傾力打造的款高度集成化智能化的臺(tái)式磁控濺射系統(tǒng)。該系統(tǒng)雖然體積小巧，但是功能出色、配置齊全。該型號(hào)的推出是為了解決傳統(tǒng)臺(tái)式設(shè)備功能簡(jiǎn)單不能滿足前沿學(xué)術(shù)研究的問(wèn)題。劍橋大學(xué)、諾森比亞大學(xué)、帝國(guó)理工學(xué)院等用戶都對(duì)這款臺(tái)式設(shè)備給予了很高的評(píng)價(jià)。

nanoPVD S10A多可安裝3個(gè)水冷式濺射源，可實(shí)現(xiàn)高功率持續(xù)運(yùn)行，靶材尺寸與大型系統(tǒng)樣是行業(yè)通用尺寸。系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)兩源共濺射方案，可以實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射方案，多可同時(shí)控制3路氣體。系統(tǒng)具有分子泵，可快速達(dá)到5*10-7mbar高真空。腔體取放樣品非常方便，樣品臺(tái)大尺寸4英寸，系統(tǒng)有智能化的觸屏控制系統(tǒng)，采用完備的安全設(shè)計(jì)方案。

nanoPVD S10A可用于制備高質(zhì)量的金屬薄膜、半導(dǎo)體薄膜、介電、緣材料薄膜以及復(fù)合薄膜、多層異質(zhì)結(jié)等。

主要點(diǎn)：

◎ 水冷式濺射源，通用2英寸設(shè)計(jì)

◎ MFC流量計(jì)高精度控制過(guò)程氣體

◎ DC/RF濺射電源可選

◎ 全自動(dòng)觸摸屏控制方案

◎ 可設(shè)定、儲(chǔ)存多個(gè)濺射程序

◎ 大4英寸基片

◎ 本底真空<5*10^-7mbar

◎ 系統(tǒng)維護(hù)簡(jiǎn)單

◎ 完備的安全性設(shè)計(jì)

◎ 兼容超凈間

◎ 性能穩(wěn)定

選件：

◎ 機(jī)械泵類型可選

◎ 樣品腔快速充氣

◎ 自動(dòng)高精度壓力控制

◎ 添加過(guò)程氣體

◎ 500℃襯底加熱

◎ 襯底旋轉(zhuǎn)，Z向調(diào)節(jié)

◎ 三源濺射系統(tǒng)

◎ 共濺射方案

◎ DC/RF濺射電源可選

◎ 濺射電源自動(dòng)切換系統(tǒng)

◎ 晶振膜厚測(cè)量系統(tǒng)

典型配置方案：

金屬沉積：2個(gè)濺射靶，配DC電源與電源切換系統(tǒng)，襯底Z向調(diào)節(jié)與擋板系統(tǒng)，晶振膜厚測(cè)量系統(tǒng)。

緣材料沉積：2個(gè)濺射靶，配RF電源與電源切換系統(tǒng)，襯底加熱與氧氣通入氣路，襯底Z向調(diào)節(jié)與擋板系統(tǒng)，晶振膜厚測(cè)量系統(tǒng)。

反應(yīng)/共濺射:三個(gè)濺射靶，配備DC/RF電源與自由切換系統(tǒng)，三路過(guò)程氣體（Ar、O₂、N₂）用于沉積氧化物或氮化物。

臺(tái)式超大面積高質(zhì)量薄膜磁控濺射系統(tǒng) - nanoPVD S10A-WA

Moorfield Nanotechnology根據(jù)客戶超大樣品的需求推出了nanoPVD-S10A-WA超大面積高質(zhì)量薄膜磁控濺射系統(tǒng)。該型號(hào)是nanoPVD-S10A的拓展型號(hào)，用于制備超大尺寸的樣品，大樣品可達(dá)8英寸。

該系統(tǒng)基于nanoPVD-S10A的成熟設(shè)計(jì)和越性能，在相同腔體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上對(duì)nanoPVD-S10A進(jìn)行了調(diào)整，使濺射源正對(duì)襯底。結(jié)合襯底旋轉(zhuǎn)，即使在生長(zhǎng)8英寸的超大樣品時(shí)也可獲得很高的樣品均勻度。與nanoPVD-S10A樣，濺射源采用水冷式設(shè)計(jì)，可以持續(xù)高功率運(yùn)行，可實(shí)現(xiàn)共濺射等功能。nanoPVD-S10-WA是款接受半定制化的設(shè)備，如有殊需求請(qǐng)聯(lián)系我們進(jìn)行詳細(xì)討論。

主要點(diǎn)：

◎ 可制備8英寸超大樣品

◎ 水冷式2英寸標(biāo)準(zhǔn)濺射源

◎ MFC流量計(jì)高精度控制過(guò)程氣體

◎ 直流/交流濺射電源可選

◎ 全自動(dòng)觸屏控制

◎ 可設(shè)定、存儲(chǔ)多個(gè)生長(zhǎng)程序

◎ 本底真空<5×10^-7mbar

◎ 易于維護(hù)

◎ 全面安全性設(shè)計(jì)

◎ 兼容超凈間

◎ 系統(tǒng)性能穩(wěn)定

選件：

◎ 機(jī)械泵類型可選

◎ 腔體快速充氣

◎ 自動(dòng)高分辨壓力控制

◎ 增加過(guò)程氣體

◎ 升至雙濺射源

◎ DC/RF電源可選

◎ 濺射電源切換

◎ 共濺射方案

◎ 晶振膜厚測(cè)量系統(tǒng)

臺(tái)式高質(zhì)量金屬\有機(jī)物熱蒸發(fā)系統(tǒng) - nanoPVD T15A

nanoPVD T15A是Moorfield Nanotechnology推出的 nanoPVD系列中新的型號(hào)，高腔體設(shè)計(jì)方案為熱蒸發(fā)而設(shè)計(jì)，確保薄膜均勻度，大可生長(zhǎng)4英寸的薄膜樣品。近年時(shí)間在英國(guó)安裝就有十幾套，劍橋大學(xué)、巴斯大學(xué)、?？巳髮W(xué)、倫敦瑪麗大學(xué)等都是該設(shè)備的用戶。

系統(tǒng)可以配備低溫蒸發(fā)(LTE)和標(biāo)準(zhǔn)電阻蒸發(fā)源，分別用于沉積有機(jī)物和金屬薄膜。低熱容有機(jī)物蒸發(fā)源具有高精度的控制電源，可以準(zhǔn)確的控制蒸發(fā)條件制備高質(zhì)量的有機(jī)物薄膜。金屬源采用盒式屏蔽模式，可以有效的減少交叉污染等問(wèn)題。智能的控制系統(tǒng)和靈活的配置方案使PVD-T15A非常適合應(yīng)用于材料研究域。

nanoPVD T15A可用于制備高質(zhì)量的金屬、有機(jī)物薄膜和異質(zhì)結(jié)等材料?？蓱?yīng)用于傳統(tǒng)材料科學(xué)和新型的OLED（有機(jī)發(fā)光二管）、OPV（有機(jī)光伏材料）和 OFET（有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管）域。

主要點(diǎn)：

◎ 可選金屬、有機(jī)物蒸發(fā)源

◎ 高縱橫比的腔體，增加樣品均勻性

◎ 全自動(dòng)觸屏控制系統(tǒng)

◎ 可設(shè)定、儲(chǔ)存多個(gè)蒸發(fā)程序

◎ 大4” 基片

◎ 本底真空<5*10^-7mbar

◎ 維護(hù)簡(jiǎn)單

◎ 完備的安全性設(shè)計(jì)

◎ 性能穩(wěn)定

選件：

◎ 機(jī)械泵類型可選

◎ 樣品腔快速充氣

◎ 自動(dòng)高精度壓力控制

◎ 多4個(gè)有機(jī)蒸發(fā)源

◎ 多2個(gè)金屬蒸發(fā)源

◎ 500℃襯底加熱

◎ 襯底旋轉(zhuǎn)，Z向調(diào)節(jié)

◎ 晶振測(cè)量系統(tǒng)

典型配置指標(biāo)：

金屬沉積：雙金屬源與擋板和晶振系統(tǒng)

有機(jī)物沉積：四個(gè)低溫蒸發(fā)源與擋板和晶振系統(tǒng)。

金屬/有機(jī)物沉積：兩個(gè)金屬源，兩個(gè)有機(jī)源與擋板和晶振系統(tǒng)。

發(fā)表文章

A high speed PE-ALD ZnO Schottky diode rectifier with low interface-state density

Jin, J., et al. Journal of Physics D: Applied Physics 2018 DOI: 10.1086/1361-6463/aaa4a2

作者報(bào)道了用用氧化鋅和PtOx肖基接觸界面制備高速肖基二管整流器的方法。為此，作者使用PE-ALD沉積ZnO，使用Moorfield nanoPVD-S10A系統(tǒng)通過(guò)射頻濺射制備金屬層和PtOx接觸層，包括反應(yīng)濺射模式(通過(guò)含氧氣氛沉積Pt)。所制備的器件具有適用于噪聲敏感和高頻電子器件的性能。

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