010-85120887
010-85120887
產(chǎn)品中心
PRODUCTS CNTER
當前位置：首頁
產(chǎn)品中心材料制備/樣品合成爐子（燒結爐、電弧爐等）HKZSciDre 高溫高壓光學浮區(qū)爐
產(chǎn)品簡介
德國SciDre 高溫高壓光學浮區(qū)爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達300Bar，甚至10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。
產(chǎn)品分類
相關文章
SciDre 高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐介紹：
| 德國SciDre公司推出的能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達300bar，甚至10-5mbar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。 應用域 適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。 |
耐高溫、耐高壓、高真空、 高透光率、拆裝簡便的樣品腔 |
由德國弗勞恩霍夫應用光 和精密工程研究所化設計的高反射率鏡面， 鏡體位置可由高精度步進馬達控制調節(jié) |
光闌式光強控制器 更方便地調節(jié)熔區(qū)溫度，延長燈泡壽命 |
仿真化觸屏控制軟件 界面友好，操作簡單 |
熔區(qū)測溫選件測溫技術 可實時監(jiān)測加熱區(qū)溫度 |
多路立氣路控制選件 可控制N2、O2、Ar、空氣等的流量和壓力， 并可對氣體進行比例混合與熔區(qū)進行反應 |
氣體除雜選件 可使高壓氬氣中的氧含量達到10-12ppm |
退火選件 可對離開熔區(qū)的單晶棒提供 高達1100℃退火溫度和高壓氧環(huán)境 |
SciDre 高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐點
● 采用垂直式光路設計
● 采用高照度短弧氙燈，多種功率規(guī)格可選
● 熔區(qū)溫度：>3000℃
● 熔區(qū)壓力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多種規(guī)格可選
● 氧氣/氬氣/氮氣/空氣/混合氣等多種氣路可選
● 采用光柵控制技術，加熱功率從0-100% 連續(xù)可調
● 樣品腔可實現(xiàn)低至10-5mbar真空環(huán)境
● 豐富的可升選件
SciDre高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐技術參數(shù)
熔區(qū)溫度：高達2000 - 3000℃以上
熔區(qū)壓力：高至10、50、100、150、300 bar可選
熔區(qū)真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可選
熔區(qū)氣氛：Ar、O2、N2等可選
氣體流量：0.25 – 1 L/min流量可控
氙燈功率：3kW至15kW可選
料棒臺尺寸：6.8mm或9.8mm可選
拉伸速率：0.1-50mm/h
調節(jié)速率：0.6 mm/s
拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可選
旋轉速率：0-70rpm
用電功率：400V三相 63A 50Hz
主機尺寸：330cm*163cm*92cm （不同規(guī)格略有差異）
發(fā)表文章
用戶單位
中國科學院物理研究所
中國科學院固體物理研究所
北京師范大學
中山大學
南昌大學
上海大學
Copyright © 2024QUANTUM量子科學儀器貿(mào)易（北京）有限公司 All Rights Reserved 備案號：京ICP備05075508號-3
上一個：
返回列表