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晶圓超快三維磁場探針臺(tái)磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)應(yīng)用

更新時(shí)間:2019-05-14點(diǎn)擊次數(shù):684

    磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(Magnetic random access memory,MRAM)是種用讀取磁阻大小為原理的新型非易失性(Non-Volatile)隨機(jī)存儲(chǔ)器,與其他存儲(chǔ)技術(shù)相比,MRAM在速度、面積、寫入次數(shù)和功耗方面能夠達(dá)到較好的折中,被業(yè)界認(rèn)為是構(gòu)建下代非易失性緩存和主存的潛在存取器件之。因此,近些年來MRAM引起了不少科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)的關(guān)注,相應(yīng)的測試設(shè)備需求也隨之增加,而Hprobe公司生產(chǎn)的IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)為個(gè)不錯(cuò)的選擇。

IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)

 

    與傳統(tǒng)的探針臺(tái)相比,IBEX-300是門用于晶圓片在磁場下的表征和測試的儀器。它基于三維磁場發(fā)生裝置來進(jìn)行超快的磁阻測試,整個(gè)測試過程全自動(dòng)完成,可以根據(jù)用戶的測試需要來自定義測試程序,為磁性器件(傳感器和存儲(chǔ)器)的開發(fā)、工藝和生產(chǎn)帶來了完整的測試解決方案。

 

主要應(yīng)用方向:

  • 磁性隧道結(jié)
  • 磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
  • 集成磁傳感器(Hall, GMR, TMR)
  • 智能傳感器 

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主要測試模式:

  • 開路/短路 測試
  • AC/DC I-V, R-V 測試
  • AC/DC 擊穿電壓測試
  • 讀/寫脈沖測試
  • R-H 角度/幅值 回線測試
  • 誤碼率測試
  • 器件循環(huán)和穩(wěn)定性測試

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三維磁場發(fā)生裝置

 

 

超快磁場掃描 

 

    三維磁場發(fā)生裝置可以實(shí)現(xiàn)各磁場空間軸的立驅(qū)動(dòng),也可以控制磁場在任意空間方向,以及產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場等。磁場的掃描采樣速率可由靜態(tài)磁場控制到幅值超過10,000步/秒。

 

測試程序界面

 

良率測試結(jié)果示意圖

 

    目前Hprobe公司已經(jīng)向多個(gè)半導(dǎo)體工廠交付了IBEX-300三維磁場探針臺(tái),同時(shí)面向客戶開放部分樣品測試。

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