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磁性薄膜測量新突破:鐵磁共振FMR實現(xiàn)搭配、升!

更新時間:2018-07-10點擊次數(shù):589

    2018年度“亞洲磁學(xué)聯(lián)盟獎”(AUMS Award)于6月4日在韓國揭曉,物理所韓秀峰研究員憑借“基于磁性緣體的磁子閥效應(yīng)”項目榮獲此獎。韓秀峰研究員團隊創(chuàng)新性地采用YIG磁性緣體作為磁性電、Au作為中間層研制出了高質(zhì)量、新型磁性緣體/金屬/磁性緣體(MI/NM/MI)磁子閥結(jié)構(gòu),并且在該結(jié)構(gòu)中觀測和發(fā)現(xiàn)了磁子閥效應(yīng)(Magnon Valve Effect),揭示了磁子閥比值主要取決于磁性緣體/金屬界面磁子-電子自旋轉(zhuǎn)換效率的原理。[1]

圖1 (a)  磁子閥結(jié)構(gòu)、原理和測量示意圖

(b)-(c) GGG/YIG和YIG/Au/YIG區(qū)域的透射電鏡照片

    該項工作的相關(guān)研究進展發(fā)表在 Phys. Rev. Lett.[2],并且作為亮點文章在PRL頁重點推薦。在此我們祝賀Quantum Design的PPMS和MicroSense VSM用戶韓秀峰研究員團隊,也祝愿他們今后能夠再創(chuàng)輝煌!

    在上述的研究中,YIG作為磁性緣體材料,有著其*的物理性能,其擁有低的Gilbert阻尼因子。Sun[3]等用鐵磁共振系統(tǒng)對YIG薄膜進行了阻尼的測試研究,測出YIG的阻尼因子大小約10-4。在對磁性材料的研究中,阻尼因子α是個比較重要的參數(shù),可以幫助我們提升電路及電子器件的傳輸效率和傳輸速度。

圖2 鐵磁共振測試系統(tǒng)主機:PhaseFMR(常溫);CryoFMR(低溫)

    QuantumDesign攜手NanOsc提供的高精度鐵磁共振測試系統(tǒng),可以快速有效地獲取阻尼系數(shù)α,以及有效磁矩 Meff、旋磁比γ、非均勻展寬ΔHo等動態(tài)磁學(xué)參數(shù),也可以表征靜態(tài)磁學(xué)性能,如飽和磁化強度Ms、各向異性、交換偏置等。該系統(tǒng)基于共面波導(dǎo)技術(shù),無需矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,可以提供寬頻2~40GHz測試,并應(yīng)用鎖相測試技術(shù),大大提高了信噪比,可以測試到1.4nm厚的薄膜。

圖3 室溫測試用共面波導(dǎo)

 圖4 用于PPMS(VersaLab)鐵磁共振樣品桿

圖5  Montana低溫恒溫器升CryoFMR鐵磁共振測試系統(tǒng)

    目前該系統(tǒng)可以應(yīng)用于室溫(基于電磁鐵平臺)、低溫(配合PPMS、VersaLab、Montana恒溫器),在上有包括中國科學(xué)院物理研究所、南京理工大學(xué)、三峽大學(xué)等用戶在內(nèi)的多套設(shè)備在運行,并使用該系統(tǒng)在PRB等期刊上發(fā)表多篇文章。如Franco[4]等用鐵磁共振測試系統(tǒng)PhaseFMR對垂直磁化各向異性[CoFeB/Pd]n多層膜進行了研究,發(fā)現(xiàn)有效垂直各向異性隨多層重復(fù)次數(shù)的增加而增大,部分測試數(shù)據(jù)見圖6。

圖6 PhaseFMR用戶文章數(shù)據(jù)

 

    鐵磁共振測試系統(tǒng)參數(shù)

 

如果您擁有電磁鐵平臺,快來升鐵磁共振測試系統(tǒng)吧!

如果您擁有PPMS或者VersaLab,快來升鐵磁共振測試系統(tǒng)吧!

如果您擁有Montana標(biāo)準(zhǔn)型低溫恒溫器,快來升鐵磁共振測試系統(tǒng)吧!

如果您也想在SQUID上進行鐵磁共振測試怎么辦?,別著急,目前Quantum Design的工程師正在努力研發(fā)中,相信不久后,我們將我們會發(fā)布為您帶來在SQUID上成功應(yīng)用FMR的好消息!

 

參考:

[1]中國科學(xué)院物理研究所

http://www.iop.cas.cn/xwzx/snxw/201806/t20180605_5021775.html

[2] H. Wu, L. Huang, C.Fang, B. S. Yang, C. H. Wan, G. Q. Yu, J. F. Feng, H. X. Wei, and X. F. Han, Phys.Rev. Lett. 120, 097205 (2018).

[3]Y.Sun, H. Chang, M. Kabatek, Y. Y. Song, Z. Wang, M. Jantz, W. Schneider, M. Wu,E. Montoya, B. Kardasz, B. Heinrich, S. G. E. te Velthuis, H. Schultheiss, andA. Hoffmann, Phys. Rev. Lett. 111, 106601 (2013).

[4]A.F. Franco, C. Gonzalez-Fuentes, J. A° kerman, and C. Garcia,Phys.Rev. B 95, 144417 (2017).

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