主要用于電學(xué)、磁學(xué)、微波、THz、光學(xué)等多種測(cè)量，可以根據(jù)客戶需要，選擇不同的溫度和磁場(chǎng)配置。

M81-SSM（同步源和測(cè)量）系統(tǒng)消除了多種特定功能儀器安裝的復(fù)雜性，一臺(tái)儀表可提供源、測(cè)量和鎖相功能，可進(jìn)行各種高精度的電學(xué)測(cè)量功能。

采用全新的FastHall測(cè)量專丶利技術(shù)，在測(cè)量過程中無需翻轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，尤其是在使用強(qiáng)磁場(chǎng)超導(dǎo)磁體或測(cè)量極低遷移率材料時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)更快、更精確的測(cè)量。

通過不同測(cè)試選件，可以選擇15 K至1273 K溫度環(huán)境，測(cè)量0.5 µΩ~200 GΩ的電阻，確定載流子濃度和載流子遷移率與溫度的關(guān)系等。

可進(jìn)行電學(xué)和各種磁學(xué)測(cè)量，測(cè)量快速方便，磁測(cè)量精度維持10^-8emu頂尖水平。

提供9、12、14T多種型號(hào)超導(dǎo)磁體，無縫銜接50mK稀釋制冷機(jī)，提供電學(xué)、磁學(xué)、熱學(xué)多種測(cè)量方案。

低溫強(qiáng)磁場(chǎng)，兼顧VSM、各向異性磁阻測(cè)試，鐵磁共振測(cè)試等。

極低溫強(qiáng)磁場(chǎng)Raman掃描成像；0.12 nm極低震動(dòng)；1.65K-300K，9T-12T&矢量磁場(chǎng)。

無液氦超低震動(dòng)（0.12 nm）；溫度和磁場(chǎng)：1.65K-300 K，9T,12T,矢量磁場(chǎng)；兼容MFM/CFM/RAMAN/NV色心等模式測(cè)量。

0.12 nm極低震動(dòng)；1.65K-300K，9T-12T&矢量磁場(chǎng)，配備各種低溫消色差物鏡，NA大于0.8。

20-50 nm空間分辨率；無液氦超低震動(dòng)（0.12 nm）；溫度和磁場(chǎng)：1.65K-300 K，9T,12T,矢量磁場(chǎng)。

無液氦低溫10K AFM/qPlusAFM系統(tǒng)；全溫區(qū)實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨圖像；與UFO腔體/MBE/PLD/LEED/APERS真空互聯(lián)。

極低溫強(qiáng)磁場(chǎng)下的NV色心測(cè)量；無液氦超低震動(dòng)；溫度和磁場(chǎng)：1.65K-300 K，9T,12T,矢量磁場(chǎng)；集成低溫物鏡。

10K全自動(dòng)干式高真空低溫恒溫器；10 nm空間分辨 s-SNOM和nano-FTIR；兼容紅外到THz波段光源。

兼具7T磁場(chǎng)、1.7K低溫、超低震動(dòng)、自由光路、近工作距離，可進(jìn)行MOKE、RMCD、Raman、PL等光譜測(cè)量。

Janis提供多種多樣的低溫恒溫器，最丶低溫度至1.5K，大范圍的樣品溫度能適用于大部分的科研實(shí)驗(yàn)。根據(jù)不同需求，可以選擇樣品處于真空環(huán)境或交換氣體環(huán)境中。

5 nm超低震動(dòng)，10 mK溫度穩(wěn)定性，自由光路，大數(shù)值孔徑，電學(xué)通道，配置靈活。

XAFS和XES兩種測(cè)量模式；常規(guī)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境使用, 無需同步輻射光源; 集成各種原位反應(yīng)池。

用于晶體定向測(cè)試，操作簡(jiǎn)單，測(cè)試快速，配備六軸樣品臺(tái)。

單角度一次入射，快速、準(zhǔn)確獲得殘余應(yīng)力。

熱電材料性能評(píng)價(jià)的經(jīng)典設(shè)備。

最大溫差500℃，測(cè)試熱電器件的轉(zhuǎn)換效率/發(fā)電量。

適用于小模塊熱電器件的測(cè)量，可測(cè)單一樣品。

全新一代的8600系列VSM，具有超高的靈敏度和超快的采集速度，可以滿足各類磁學(xué)測(cè)量。產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面也進(jìn)行了升級(jí)，軟件功能更強(qiáng)大，設(shè)備操作更簡(jiǎn)單。

10^-12emu靈敏度，單條回線1s內(nèi)可以獲得，適合微區(qū)磁滯回線和磁疇觀測(cè)。

大圓晶樣品非接觸無損測(cè)量；載流子遷移率, 散射時(shí)間, 濃度分析；電導(dǎo)率和電阻率分析。

集成多種AFM、SEM和EDS功能，實(shí)現(xiàn)材料二維和三維的形貌、成分分析、力學(xué)性能、電學(xué)性能，磁學(xué)性能表征。

5kV加速電壓，多種成像模式；高亮度、高對(duì)比度、體積小巧；操作簡(jiǎn)單，維護(hù)成本極低。

10-25kV加速電壓，多種成像模式，配有EDS；高亮度、高對(duì)比度、分辨率高；操作簡(jiǎn)單，維護(hù)成本極低。

小巧易用，三次鼠標(biāo)點(diǎn)擊可得到納米級(jí)形貌，性價(jià)比高，滿足各類樣品納米尺度快速表征的需要。

500 nm分辨紅外和拉曼顯微成像；無損反射式測(cè)量+透射測(cè)量；紅外+拉曼同步測(cè)量。

超高空間分辨和時(shí)間分辨同時(shí)實(shí)現(xiàn)探測(cè)；空間分辨率20-50 nm，Pump光源時(shí)間分辨可達(dá)50 fs。

10 nm空間分辨率近場(chǎng)光學(xué)成像與光譜測(cè)量；特殊高階解調(diào)背景壓縮技術(shù)，兼容可見光、紅外、超快和太赫茲。

實(shí)現(xiàn)納米級(jí)THz成像和光譜學(xué)測(cè)量；兼容寬帶和單頻THz信號(hào) ；復(fù)雜材料中的電學(xué)測(cè)量。

10 nm空間分辨率的納米傅里葉變換紅外光譜；靈敏度高，適應(yīng)于有機(jī)、生物、化學(xué)等材料高精度鑒別。

一套設(shè)備、一束激光實(shí)現(xiàn)三種超快光譜探測(cè)：瞬態(tài)吸收光譜TAS、相干拉曼光譜ISRS、多維相干光譜MDCS。

無需掩膜板，結(jié)構(gòu)小巧緊湊；高分辨率（0.4 μm）；適應(yīng)于MEMS、微流控、芯片等納米結(jié)構(gòu)制備。

溫度梯度優(yōu)化方案，溫度反饋控制，最高溫度3000°C。

最高溫度3000°C，最高壓力300bar，可生長(zhǎng)多種單晶樣品。

高效鍍金橢球反射鏡，占地面積小，操作簡(jiǎn)單。

多片基片/批量粉末制備；溫度條件精確控制；小巧機(jī)身設(shè)計(jì)：75x56x28 cm。

金屬有機(jī)物熱蒸發(fā)、磁控濺射、共濺射、反應(yīng)濺射、配置靈活、功能齊全、智能控制。

可快速制備石墨烯的小型CVD系統(tǒng)，最快30分鐘即可完成整個(gè)過程，完備的智能、安全性設(shè)計(jì)。

超高精準(zhǔn)刻蝕，可逐層刻蝕石墨烯，可制造面內(nèi)缺陷，可對(duì)清洗石墨基材表面。

通過離子束工藝來調(diào)控薄膜和異質(zhì)結(jié)構(gòu)，可用于半導(dǎo)體工藝，以及MRAM、斯格明子，磁性隧道結(jié)等多種磁性研究。

500 nm分辨紅外和拉曼顯微成像；無損反射式測(cè)量+透射測(cè)量；紅外+拉曼同步測(cè)量。

XAFS和XES兩種測(cè)量模式；常規(guī)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境使用, 無需同步輻射光源; 集成各種原位反應(yīng)池。

高分辨率（0.32Hz）、高靈敏度（30:1）無液氦核磁，采用特殊先進(jìn)的信號(hào)探測(cè)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)¹H/¹³C/¹⁹F/²³Na/²⁹Si/³¹P/¹¹B/⁷Li/¹¹⁹Sn等雜核探測(cè)。

原位即時(shí)空間分辨光譜（Operando Spectroscopy）對(duì)催化反應(yīng)動(dòng)力學(xué)監(jiān)測(cè)，可視化測(cè)量物質(zhì)在反應(yīng)器不同位置的實(shí)時(shí)狀態(tài)。

10 nm空間分辨率的納米傅里葉變換紅外光譜；靈敏度極丶高，適應(yīng)于有機(jī)、生物、化學(xué)等材料高精度鑒別。